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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华南地区某LED概念片研发工厂,因研发整个过程中动用砷化镓、磷化清理铟等III-V族有机化合物,废水里面含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,规划清理人数1200吨/日。 废水处理方法基本成分及源于 MOCVD产品冲洗生产废水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机的金属质有机化合物 打孔磨细废污水 :含微米级复合颗粒剂 镀膜污水 :含铜、镍等黑色金属正离子 办理生产工艺步骤流程 科学创新选取"阳极氧化破络+巨资属捕集器+膜提取"组和技艺: 预办理單元 :加药亚硫酸氢钠细化有机质合金金属络合物 核心理念正确处理标段 : 选择DTCR血本属捕集器剂成型不阴离子型螯合物 反渗透装置系统的(UF)虚报冒领分子结构环境破坏物 反加入(RO)脱盐率>98% 活性污泥处里单元式 :离心分离出现脱水后交予危险废弃物治理 中心局应急处置 决定性治疗效果 经第一方探测: 总砷浓度:0.05mg/L(国际标准0.5mg/L) 镉含锌量:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水使用率:75% 程序运行直接费用:3.8元/吨水

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